2023年中国科学院大学半导体研究所考研(实用三篇)
在日常的学习、工作、生活中，肯定对各类范文都很熟悉吧。写范文的时候需要注意什么呢？有哪些格式需要注意呢？这里我整理了一些优秀的范文，希望对大家有所帮助，下面我们就来了解一下吧。
中国科学院大学半导体研究所考研篇一
1.了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
2.理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
3.掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。
4.理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。
5.熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
6.理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
7.了解iii-v族化合物半导体的能带结构。
8.了解ii-vi族化合物半导体的能带结构。
(二)半导体中杂质和缺陷能级
1.理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
2.简单计算浅能级杂质电离能。
3.了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
4.了解iii-v族化合物中杂质能级的概念。
5.理解点缺陷、位错的概念。
(三)半导体中载流子的统计分布
1.深入理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。
2.深入理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。
3.深入理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
4.深入理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
5.理解并掌握一般情况下的载流子统计分布。
6.深入理解并熟练掌握简并半导体的概念，简并半导体的载流子浓度的表示方法，简并化条件。了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应。
(四)半导体的导电性
1.深入理解迁移率的概念。并熟练掌握载流子的漂移运动，包括公式。
2.深入理解载流子的散射的概念。
3.深入理解并熟练掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系，包括公式。
4.深入理解并熟练掌握电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，包括公式。
5.深入理解电导率的统计理论。并熟练掌握玻尔兹曼方程。
6.了解强电场下的效应和热载流子的概念。
7.了解多能谷散射概念和耿氏效应。
(五)非平衡载流子
1.深入理解非平衡载流子的注入与复合的概念，包括表达式。
2.深入理解非平衡载流子的寿命的概念，包括表达式、能带示意图。
3.深入理解准费米能级的概念，包括表达式、能带示意图。
4.了解复合理论，理解直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合的概念，包括表达式、能带示意图。
5.了解陷阱效应，包括表达式、能带示意图。
6.深入理解并熟练掌握载流子的扩散运动，包括公式。
7.深入理解并熟练掌握载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式。并能灵活运用。
8.深入理解并熟练掌握连续性方程式。并能灵活运用。
(六)p-n结
1.深入理解并熟练掌握p-n结及其能带图，包括公式、能带示意图。
2.深入理解并熟练掌握p-n结电流电压特性，包括公式、能带示意图。
3.深入理解p-n结电容的概念，熟练掌握p-n结电容表达式、能带示意图。
4.深入理解雪崩击穿、隧道击穿热击穿的概念。
5.了解p-n结隧道效应。
(七)金属和半导体的接触
1.了解金属半导体接触及其能带图。理解功函数、接触电势差的概念，包括公式、能带示意图。了解表面态对接触势垒的影响。
2.了解金属半导体接触整流理论。深入理解并熟练掌握扩散理论、热电子发射理论、镜像力和隧道效应的影响、肖特基势垒二极管的概念。
3.了解少数载流子的注入和欧姆接触的概念。
(八)半导体表面与mis结构
1.深入理解表面态的概念。
2.深入理解表面电场效应，空间电荷层及表面势的概念，包括能带示意图。深入理解并熟练掌握表面空间电荷层的电场、电势和电容的关系，包括公式、示意图。并能灵活运用。
3.深入理解并熟练掌握mis结构的电容-电压特性，包括公式、示意图。并能灵活运用。
4.深入理解并熟练掌握硅─二氧化硅系数的性质，包括公式、示意图。并能灵活运用。
5.理解表面电导及迁移率的概念。
6.了解表面电场对p-n结特性的影响。
(九)异质结
1.理解异质结及其能带图，并能画出示意图。
2.了解异质结的电流输运机构。
3.了解异质结在器件中的应用。
4.了解半导体超晶格的概念。
(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象
1.了解半导体的光学常数，理解折射率、吸收系数、反射系数、透射系数的概念。了解半导体的光吸收现象，理解本征吸收、直接跃迁、间接跃迁的概念。了解半导体的光电导的概念。理解并掌握半导体的光生伏特效应，光电池的电流电压特性的表达式。了解半导体发光现象，理解辐射跃迁、发光效率、电致发光的概念。了解半导体激光的基本原理和物理过程，理解自发辐射、受激辐射、分布反转的概念。
2. 了解热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的珀耳帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用。
3. 理解并掌握霍耳效应的概念和表示方法。理解磁阻效应。了解磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应。了解声波和载流子的相互作用。
中国科学院大学半导体研究所考研篇二
中国科学院大学2019考研大纲：普通化学(甲)
中国科学院大学2019考研大纲：624数学与物理综合
中国科学院大学2019考研大纲：601高等数学(甲)
中国科学院大学(中国科学院文献情报中心)2019考研专业目录
中国科学院大学2019考研大纲：620普通地质学
中国科学院大学2019考研大纲：602高等数学(乙)
中国科学院大学2019考研大纲：603高等数学(丙)
中国科学院大学半导体研究所考研篇三
(一)半导体的电子状态：
半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，iii-v族化合物半导体的能带结构，ii-vi族化合物半导体的能带结构
(二)半导体中杂质和缺陷能级：
硅、锗晶体中的杂质能级，iii-v族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级
(三)半导体中载流子的统计分布
状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体
(四)半导体的导电性
载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应
(五)非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式
(六)p-n结
p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应
(七)金属和半导体的接触
金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触
(八)半导体表面与mis结构
表面态，表面电场效应，mis结构的电容-电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p-n结特性的影响
(九)异质结
异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格
(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象
半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用
